CICC称石墨烯或将代替CMOS半导体技术
日期:2011-09-26 17:32
S的替代材料之前，石墨烯也面临着许多挑战。我们必须在石墨烯薄片上制造出数十亿个电晶体，但我们目前所能制造的电晶体数量极少，Meindl说。
在2024年时，矽晶 MOSFET 在可制造的通道长度以及可支援的绝缘闸厚薄方面将会达到瓶颈，Meindl援引国际半导体技术蓝图(ITRS)的预测表示。
英国曼彻斯特大学(University of Manchester )的研究人员们在2004年的一项研究中发现了这种新材料。这项获得诺贝尔奖(Nobel Prize)的研究贡献在于找到了一种可制造单层碳原子的新方法。Meindl回想，当时没有人认为可以做到这一点，但对于让单层碳原子以六角形蜂巢晶格完美
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