中国科学院成功研制高性能的石墨烯电子器件
日期:2011-08-10 22:30
显示，器件整体性能在500MHz以上，最高截止频率达到1.1GHz器件成品率达到80%以上，成为国内首个公开报道的在CVD方法生长石墨烯上制备出截止频率达到GHz以上的团队。
（二）微机械剥离石墨烯器件
研究小组首先采用微机械剥离法得到几百平方微米的大面积石墨烯材料，在此基础上，创新的采用了具有自主知识产权的复合栅介质结构，开发了细栅条器件工艺，解决了器件制备中的关键工艺问题，开发出完整的石墨烯器件工艺流程，实现了石墨烯电子器件的制备。
（三）SiC外延生长石墨烯器件
研究小组在SiC外延生长法制备的2英寸晶圆级石墨烯材料上，开发了完整的具有自主知识产权
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