中国科学院成功研制高性能的石墨烯电子器件
日期:2011-08-10 22:30
日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯电子器件。石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。
（一）化学气相淀积(CVD)石墨烯器件
在铜箔上采用化学气相淀积(CVD)方法制备的大面积石墨烯材料上，实现了晶圆级石墨烯电子器件的规模化制备。测试数据
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