我国LED产业发展逐渐壮大
日期:2013-04-10 14:54
度高、结构简单等综合优势，且已成功应用于路灯、球泡灯、手电筒、矿灯头灯等室内外中高端照明产品。截至目前，国产硅基大功率LED芯片的发光效率已达到130lm/W，可与世界一流芯片并驾齐驱。同时，国内企业在6英寸硅基LED外延技术的研发上也取得了巨大的进展，计划年内实现量产。
众所周知，硅衬底材料与GaN材料大的晶格常数与热膨胀系数差异是直接影响芯片质量的主要原因。国内企业通过图形化衬底，采用AlN及AlGaN多层缓冲层等各种方式引入压应力，减小硅衬底与GaN之间的张应力，从而消除外延层的龟裂。相关创新技术已在多个国家和地区提出了申请。而完整的
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