分析LED“两高一低”的综合解决方案
日期:2012-12-12 14:19
家分析预测，未来10年外延成本将以每年25%的速率降低。
综上，由于GaN外延、芯片技术的不断突破，采用不同衬底、新结构和纳米级技术等，可生长低位错的GaN，并做出高光效LED。在没有波长转换时，其光效可超过300lm/W(理论值可达400lm/W);采用荧光粉波长转换时，光效可超过200lm/W(理论值可达263lm/W)，还可开拓单芯片发多色的新技术路线。同时，采用新技术和大圆片技术生长外延，可大幅度降低外延、芯片的制作成本。
模块化标准封装成发展方向
我国LED封装技术近几年取得很大进展，总体封装水平与国外相差很小，甚至相当，但关键封装材料还要进口。2011年，全球封装器
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