分析LED“两高一低”的综合解决方案
日期:2012-12-12 14:19
。这无疑将推动在8英寸的Si衬底上生长外延的进程，并可大幅度降低成本。
日本碍子公司的新外延技术由于大量减少位错密度，极大提高了LED性能指标，取得了突破性进展。
在芯片结构方面，已出现多种新结构，较典型的是六面体发光芯片，并采用多面表面粗化技术，减少界面反射，提高光萃取率，从而提高外量子效率。三星公司采用纳米级的六角棱锥结构技术做出的LED，可实现半极性、非极性生长GaN，散热好、晶体质量好，实现了多色光的白光LED，取得突破性进展。
据有关报道，综合来看，许多外延、芯片的重大技术创新，大部分是针对提高性能和降低成本的关键技术问题，所以有机构专
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