分析LED“两高一低”的综合解决方案
日期:2012-12-12 14:19
/W，产业化为140～150 lm/W，最近Cree推出了160lm/W的产品。同时，蓝光光效达到300lm/W，红光光效达240 lm/W，绿光光效达160lm/W。
图形化衬底(定向、纳米)和半极性、非极性衬底方面，通过改进工艺、简化流程、节省原料、降低成本等取得了很好的成果;同质外延方面，可采用多种方法生产GaN衬底，并在GaN衬底上生长GaN的LED，极大减少了MO源和高纯气体用量，有人预测可降低成本50%。
在8英寸的Si衬底上生长GaN，全球有多家公司已投入研发，由于可用现有多余的生产设备、简化工艺流程，将大幅度降低成本。同时，Aixtron推出以Si为衬底的外延炉，可严格控制弯曲度，均匀一致生产
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