新颖纳米管取代反应法实现B-C-N单壁纳米管高效批量合成
日期:2011-12-12 09:59
-N单壁纳米管的直接合成，该工作是轻元素纳米管领域的研究突破，相关结果发表在J. Am. Chem. Soc.（2006, 128, 6530）上，引起了国际同行的较大关注（年平均引用在10次以上）。高质量单壁纳米管样品的成功合成，使得三元B-C-N纳米管的电学器件构筑成为了可能。2008年，该组成功制备出基于单壁B-C-N管的场效应晶体管（FET）器件，研究表明B-C-N单壁管中半导体性纳米管的比例超过97%，远超过单壁碳纳米管中66%的自然比例，相关结果发表在Adv. Mater. (2008, 20, 3615) 上。他们在三元B-C-N单壁纳米管研究方面的系列工作表明，通过B、N共掺杂形成三元B-C-N纳米管，是解决纯碳
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