新颖纳米管取代反应法实现B-C-N单壁纳米管高效批量合成
日期:2011-12-12 09:59
较大的可调性,B-C-N纳米管有望在纳电子学与光电子学等领域比碳纳米管率先获得应用。然而,与碳纳米管相比,三元B-C-N纳米管实验合成的难度要大得多,尤其是单壁纳米管的合成,是一个具有很大挑战性的课题。
最近,白雪冬研究组的王文龙副研究员和博士生杨晓霞等人在单壁B-C-N纳米管研究方面又取得了新进展。三元B-C-N纳米管的合成有两个基本途径:直接生长法与碳纳米管取代反应法。直接生长法是指把B、C、N三种元素的前驱物同时引入生长环境,在纳米管生长的同时实现对其B、N掺杂,CVD方法便是直接生长法的一种。而所谓取代反应法则是以预先合成好的碳纳米
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